PTF12N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTF12N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 83 nC
   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTF12N90

PTF12N90 Datasheet (PDF)

..1. Size:391K pipsemi
ptf12n90.pdf

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

8.1. Size:7543K cn puolop
ptf12n65.pdf

PTF1 2N6565 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: