Справочник MOSFET. PTF12N90

 

PTF12N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTF12N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для PTF12N90

 

 

PTF12N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  pipsemi
 ptf12n90.pdf

PTF12N90 PTF12N90

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

 8.1. Size:7543K  cn puolop
 ptf12n65.pdf

PTF12N90 PTF12N90

PTF1 2N6565 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PSMN1R6-40YLC

 

 
Back to Top