Справочник MOSFET. PTF12N90

 

PTF12N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF12N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для PTF12N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF12N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  pipsemi
 ptf12n90.pdf pdf_icon

PTF12N90

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

 8.1. Size:7543K  cn puolop
 ptf12n65.pdf pdf_icon

PTF12N90

PTF1 2N6565 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

Другие MOSFET... PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , 8205A , PTF27N80 , PTH03N150 , PTA03N150 , PTP01N04N , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A .

 

 
Back to Top

 


 
.