PTF12N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTF12N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTF12N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF12N90 даташит

 ..1. Size:391K  pipsemi
 ptf12n90.pdf pdf_icon

PTF12N90

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

 8.1. Size:7543K  cn puolop
 ptf12n65.pdf pdf_icon

PTF12N90

PTF1 2N65 65 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

Другие IGBT... PTA13N45, PTA22N60, PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, IRFP260, PTF27N80, PTH03N150, PTA03N150, PTP01N04N, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A