PTF27N80 Todos los transistores

 

PTF27N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTF27N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 650 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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PTF27N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12429K  pipsemi
 ptf27n80.pdf pdf_icon

PTF27N80

PTF27N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 800V 280m 27A RDS(ON),typ.=280 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTF27N80 TO-247 Absolute Max

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History: KP979VC | APT12045L2VFR | IXFL38N100Q2 | IRFH7914 | STD30NE06LT4 | 4N80G-TF3-T | NTTFS4941NTAG

 

 
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