PTF27N80 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTF27N80  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 650 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO-247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PTF27N80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PTF27N80 datasheet

 ..1. Size:12429K  pipsemi
 ptf27n80.pdf pdf_icon

PTF27N80

PTF27N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 800V 280m 27A RDS(ON),typ.=280 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTF27N80 TO-247 Absolute Max

Otros transistores... PTA22N60, PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, PTF12N90, AO3401, PTH03N150, PTA03N150, PTP01N04N, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A, PTP08N06N