PTF27N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTF27N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 650 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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PTF27N80 Datasheet (PDF)
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PTF27N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 800V 280m 27A RDS(ON),typ.=280 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTF27N80 TO-247 Absolute Max
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