PTF27N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTF27N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTF27N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF27N80 даташит

 ..1. Size:12429K  pipsemi
 ptf27n80.pdf pdf_icon

PTF27N80

PTF27N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 800V 280m 27A RDS(ON),typ.=280 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTF27N80 TO-247 Absolute Max

Другие IGBT... PTA22N60, PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, PTF12N90, 4435, PTH03N150, PTA03N150, PTP01N04N, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A, PTP08N06N