Справочник MOSFET. PTF27N80

 

PTF27N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF27N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для PTF27N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF27N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12429K  pipsemi
 ptf27n80.pdf pdf_icon

PTF27N80

PTF27N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 800V 280m 27A RDS(ON),typ.=280 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTF27N80 TO-247 Absolute Max

Другие MOSFET... PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , 2SK3568 , PTH03N150 , PTA03N150 , PTP01N04N , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N .

History: FS10KM-9 | KI5447DC | H6N70U

 

 
Back to Top

 


 
.