PTP01N04N Todos los transistores

 

PTP01N04N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP01N04N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 345 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PTP01N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  pipsemi
 ptp01n04n.pdf pdf_icon

PTP01N04N

PTP01N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.3m 345A Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=1.3 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification Motor Drive Ordering Information Part Number

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History: 2N7002C1B | RU30C40M3 | NTMFS4927NT1G | AS3434E | 2SK739 | RU30C20M3 | AS3404

 

 
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