PTP01N04N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP01N04N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 345 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 148 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1600 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP01N04N
PTP01N04N Datasheet (PDF)
ptp01n04n.pdf
PTP01N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.3m 345A Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=1.3 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification Motor Drive Ordering Information Part Number
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