Справочник MOSFET. PTP01N04N

 

PTP01N04N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP01N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 345 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PTP01N04N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP01N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  pipsemi
 ptp01n04n.pdf pdf_icon

PTP01N04N

PTP01N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.3m 345A Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=1.3 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification Motor Drive Ordering Information Part Number

Другие MOSFET... PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 , PTH03N150 , PTA03N150 , IRFB3607 , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N , PTP08N06NB , PTP08N08NA , PTP08N65 .

History: NTD24N06-001 | WMS04N10T1

 

 
Back to Top

 


 
.