PTP01N04N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP01N04N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 345 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP01N04N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP01N04N даташит

 ..1. Size:526K  pipsemi
 ptp01n04n.pdf pdf_icon

PTP01N04N

PTP01N04N 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.3m 345A Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=1.3 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification Motor Drive Ordering Information Part Number

Другие IGBT... PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, PTA28N50, PTF12N90, PTF27N80, PTH03N150, PTA03N150, K4145, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A, PTP08N06N, PTP08N06NB, PTP08N08NA, PTP08N65