PTB14508E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTB14508E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 273 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 145 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
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PTB14508E Datasheet (PDF)
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PTP14508E PTB14508E Pb Lead Free Package 80V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.8m 145A RDS(ON),typ.=4.8 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G G D UPS Inverter D S S Order
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