PTB14508E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTB14508E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 273 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 160 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTB14508E
PTB14508E Datasheet (PDF)
ptp14508e ptb14508e.pdf
PTP14508E PTB14508E Pb Lead Free Package 80V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.8m 145A RDS(ON),typ.=4.8 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G G D UPS Inverter D S S Order
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