PTB14508E Todos los transistores

 

PTB14508E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTB14508E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 273 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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PTB14508E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  pipsemi
 ptp14508e ptb14508e.pdf pdf_icon

PTB14508E

PTP14508E PTB14508E Pb Lead Free Package 80V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.8m 145A RDS(ON),typ.=4.8 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G G D UPS Inverter D S S Order

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History: CTM08N50 | APT5018SFLLG | VN10KCSM4 | AFP2367S | AUIRL3705ZL | FQD30N06LTF | AFP3425

 

 
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