PTB14508E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTB14508E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTB14508E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTB14508E даташит

 ..1. Size:560K  pipsemi
 ptp14508e ptb14508e.pdf pdf_icon

PTB14508E

PTP14508E PTB14508E Pb Lead Free Package 80V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.8m 145A RDS(ON),typ.=4.8 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G G D UPS Inverter D S S Order

Другие IGBT... PTA12N65, PTP13N50B, PTA13N50B, PTP13N60, PTA13N60, PTP13N65, PTA13N65, PTP14508E, P60NF06, PTP15N50, PTA15N50, PTP16N06N, PTL16N06N, PTP16N60, PTA16N60, PTP16N65, PTA16N65