Справочник MOSFET. PTB14508E

 

PTB14508E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTB14508E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для PTB14508E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTB14508E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  pipsemi
 ptp14508e ptb14508e.pdf pdf_icon

PTB14508E

PTP14508E PTB14508E Pb Lead Free Package 80V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.8m 145A RDS(ON),typ.=4.8 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G G D UPS Inverter D S S Order

Другие MOSFET... PTA12N65 , PTP13N50B , PTA13N50B , PTP13N60 , PTA13N60 , PTP13N65 , PTA13N65 , PTP14508E , AO3401 , PTP15N50 , PTA15N50 , PTP16N06N , PTL16N06N , PTP16N60 , PTA16N60 , PTP16N65 , PTA16N65 .

History: STF31N65M5 | CEB12N6 | GP1M009A090N | TSM6963SDCA | P0470ATFS | APT4020BVFRG | NVMFD5875NL

 

 
Back to Top

 


 
.