PTL16N06N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTL16N06N 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: TO-262
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PTL16N06N MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PTL16N06N datasheet
ptp16n06n ptl16n06n.pdf
PTP16N06N PTL16N06N 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 60V 13.5m 55A RDS(ON),typ.=13.5 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive DC Motor Control Class D Amplifier Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N
Otros transistores... PTA13N60, PTP13N65, PTA13N65, PTP14508E, PTB14508E, PTP15N50, PTA15N50, PTP16N06N, STP65NF06, PTP16N60, PTA16N60, PTP16N65, PTA16N65, PTP18N20A, PTP20N40B, PTA20N40B, PTP20N50A
History: DHB50N06FZC
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75
