PTL16N06N Todos los transistores

 

PTL16N06N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTL16N06N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros

 

PTL16N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  pipsemi
 ptp16n06n ptl16n06n.pdf pdf_icon

PTL16N06N

PTP16N06N PTL16N06N 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 60V 13.5m 55A RDS(ON),typ.=13.5 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive DC Motor Control Class D Amplifier Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N

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History: IPB60R190C6 | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
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