PTL16N06N - аналоги и даташиты транзистора

 

PTL16N06N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTL16N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для PTL16N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTL16N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  pipsemi
 ptp16n06n ptl16n06n.pdf pdf_icon

PTL16N06N

PTP16N06N PTL16N06N 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 60V 13.5m 55A RDS(ON),typ.=13.5 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive DC Motor Control Class D Amplifier Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N

Другие MOSFET... PTA13N60 , PTP13N65 , PTA13N65 , PTP14508E , PTB14508E , PTP15N50 , PTA15N50 , PTP16N06N , IRFZ48N , PTP16N60 , PTA16N60 , PTP16N65 , PTA16N65 , PTP18N20A , PTP20N40B , PTA20N40B , PTP20N50A .

History: BUZ205 | FMH16N50ES | SM2A06NSF

 

 
Back to Top

 


 
.