PTP18N20A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP18N20A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 158 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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PTP18N20A Datasheet (PDF)
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PTP18N20A 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 120m 18A RDS(ON),typ.=120m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT, TV/Monitor Other Applications S G D Ordering Information Part Number Package Brand PTP18N20A TO-220 Absolut
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