PTP18N20A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP18N20A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP18N20A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP18N20A даташит

 ..1. Size:769K  pipsemi
 ptp18n20a.pdf pdf_icon

PTP18N20A

PTP18N20A 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 120m 18A RDS(ON),typ.=120m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT, TV/Monitor Other Applications S G D Ordering Information Part Number Package Brand PTP18N20A TO-220 Absolut

Другие IGBT... PTP15N50, PTA15N50, PTP16N06N, PTL16N06N, PTP16N60, PTA16N60, PTP16N65, PTA16N65, IRF830, PTP20N40B, PTA20N40B, PTP20N50A, PTA20N50A, PTP20N60, PTA20N60, PTP20N60A, PTA20N60A