PTP18N20A - аналоги и даташиты транзистора

 

PTP18N20A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTP18N20A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PTP18N20A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP18N20A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  pipsemi
 ptp18n20a.pdf pdf_icon

PTP18N20A

PTP18N20A 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 120m 18A RDS(ON),typ.=120m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT, TV/Monitor Other Applications S G D Ordering Information Part Number Package Brand PTP18N20A TO-220 Absolut

Другие MOSFET... PTP15N50 , PTA15N50 , PTP16N06N , PTL16N06N , PTP16N60 , PTA16N60 , PTP16N65 , PTA16N65 , P0903BDG , PTP20N40B , PTA20N40B , PTP20N50A , PTA20N50A , PTP20N60 , PTA20N60 , PTP20N60A , PTA20N60A .

History: NCE2030 | IRF7495 | SSI65R190S2 | D630

 

 
Back to Top

 


 
.