PTP18N20A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTP18N20A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 158 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220
PTP18N20A Datasheet (PDF)
ptp18n20a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PTP18N20A 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 120m 18A RDS(ON),typ.=120m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT, TV/Monitor Other Applications S G D Ordering Information Part Number Package Brand PTP18N20A TO-220 Absolut
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .