STV60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV60N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SO10
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STV60N06
STV60N06 Datasheet (PDF)
stv60ne06-16.pdf
STV60NE06-16N - CHANNEL 60V - 0.013 - 60A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTV60NE06-16 60 V
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Liste
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