STV60N06. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STV60N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SO10
Аналог (замена) для STV60N06
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STV60N06 даташит
stv60ne06-16.pdf
STV60NE06-16 N - CHANNEL 60V - 0.013 - 60A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STV60NE06-16 60 V
Другие MOSFET... STV50N06 , STV55N05L , STV55N06L , STV5NA50 , STV5NA80 , STV60N03L-12 , STV60N05 , STV60N05-16 , AON7403 , STV6NA60 , STV7NA40 , STV7NA60 , STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 .
History: STV7NA40
History: STV7NA40
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328