STV60N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STV60N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO10

Другие MOSFET... STV50N06 , STV55N05L , STV55N06L , STV5NA50 , STV5NA80 , STV60N03L-12 , STV60N05 , STV60N05-16 , EMB04N03H , STV6NA60 , STV7NA40 , STV7NA60 , STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 .