PTP23N10A Todos los transistores

 

PTP23N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP23N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PTP23N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  pipsemi
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PTP23N10A

PTP23N10A 100V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 100V 17m 57A RDS(ON),typ.=17m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive G DC Motor Control D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PTP2

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History: SFG60N12FF | SVF6N60F | 2SK2890-01 | SPB65R180G | AM20N10-130D | UTT25P10L-TA3-T | 2SK3636

 

 
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