PTP23N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP23N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP23N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP23N10A даташит

 ..1. Size:888K  pipsemi
 ptp23n10a.pdf pdf_icon

PTP23N10A

PTP23N10A 100V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 100V 17m 57A RDS(ON),typ.=17m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive G DC Motor Control D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PTP2

Другие IGBT... PTP20N60, PTA20N60, PTP20N60A, PTA20N60A, PTP20N65A, PTA20N65A, PTP20N70A, PTA20N70A, AO4468, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, PTB9506E, PTW09N90, PTW20N50A, PTW28N50, PTW30N50EL