Справочник MOSFET. PTP23N10A

 

PTP23N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP23N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP23N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  pipsemi
 ptp23n10a.pdf pdf_icon

PTP23N10A

PTP23N10A 100V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 100V 17m 57A RDS(ON),typ.=17m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive G DC Motor Control D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PTP2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NTTFS4939N | AP2306CGN-HF | AOD424G | SUD40N04-10A | AM9945N | WSD30L90DN56 | APT13F120S

 

 
Back to Top

 


 
.