Справочник MOSFET. PTP23N10A

 

PTP23N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP23N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PTP23N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP23N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  pipsemi
 ptp23n10a.pdf pdf_icon

PTP23N10A

PTP23N10A 100V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 100V 17m 57A RDS(ON),typ.=17m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive G DC Motor Control D S TO-220 Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PTP2

Другие MOSFET... PTP20N60 , PTA20N60 , PTP20N60A , PTA20N60A , PTP20N65A , PTA20N65A , PTP20N70A , PTA20N70A , IRFP064N , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL .

History: LRK7002WT1G | 2SK794 | TSD10N06AT

 

 
Back to Top

 


 
.