PTP40N20 Todos los transistores

 

PTP40N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP40N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PTP40N20 Datasheet (PDF)

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PTP40N20

PTP40N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 50m 40A RDS(ON),typ.=50m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters G D S DC-AC Inverters for UPS SMPS and Motor controls TO-220 Ordering Information Package Not

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History: PTP16N60

 

 
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