PTP40N20 Todos los transistores

 

PTP40N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP40N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de PTP40N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTP40N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:836K  pipsemi
 ptp40n20.pdf pdf_icon

PTP40N20

PTP40N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 50m 40A RDS(ON),typ.=50m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters G D S DC-AC Inverters for UPS SMPS and Motor controls TO-220 Ordering Information Package Not

Otros transistores... PTA20N60 , PTP20N60A , PTA20N60A , PTP20N65A , PTA20N65A , PTP20N70A , PTA20N70A , PTP23N10A , IRF730 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 .

History: FMP13N60E | MP15N60EIF | TK20A60W5 | MP4N150

 

 
Back to Top

 


 
.