Справочник MOSFET. PTP40N20

 

PTP40N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP40N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PTP40N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP40N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:836K  pipsemi
 ptp40n20.pdf pdf_icon

PTP40N20

PTP40N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 50m 40A RDS(ON),typ.=50m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters G D S DC-AC Inverters for UPS SMPS and Motor controls TO-220 Ordering Information Package Not

Другие MOSFET... PTA20N60 , PTP20N60A , PTA20N60A , PTP20N65A , PTA20N65A , PTP20N70A , PTA20N70A , PTP23N10A , BS170 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 .

History: NP50P06KDG | KI502DT | HYG067N07NQ1P

 

 
Back to Top

 


 
.