PTP40N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP40N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP40N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP40N20 даташит

 ..1. Size:836K  pipsemi
 ptp40n20.pdf pdf_icon

PTP40N20

PTP40N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 50m 40A RDS(ON),typ.=50m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters G D S DC-AC Inverters for UPS SMPS and Motor controls TO-220 Ordering Information Package Not

Другие IGBT... PTA20N60, PTP20N60A, PTA20N60A, PTP20N65A, PTA20N65A, PTP20N70A, PTA20N70A, PTP23N10A, IRF730, PTP540, PTP9506E, PTB9506E, PTW09N90, PTW20N50A, PTW28N50, PTW30N50EL, PTW36N60