PTP9506E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP9506E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP9506E
PTP9506E Datasheet (PDF)
ptp9506e ptb9506e.pdf
PTP9506E PTB9506E 68V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 68V 6.5m 95A RDS(ON),typ.=6.5 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Synchronous Rectification G D S D UPS Inverter S Ordering Information TO-220 &
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