Справочник MOSFET. PTP9506E

 

PTP9506E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTP9506E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 95 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
   Время нарастания (tr): 95 ns
   Выходная емкость (Cd): 280 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для PTP9506E

 

 

PTP9506E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  pipsemi
 ptp9506e ptb9506e.pdf

PTP9506E PTP9506E

PTP9506E PTB9506E 68V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 68V 6.5m 95A RDS(ON),typ.=6.5 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Synchronous Rectification G D S D UPS Inverter S Ordering Information TO-220 &

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top