PTB9506E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTB9506E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-263

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PTB9506E datasheet

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PTB9506E

PTP9506E PTB9506E 68V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 68V 6.5m 95A RDS(ON),typ.=6.5 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Synchronous Rectification G D S D UPS Inverter S Ordering Information TO-220 &

Otros transistores... PTP20N65A, PTA20N65A, PTP20N70A, PTA20N70A, PTP23N10A, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, IRF740, PTW09N90, PTW20N50A, PTW28N50, PTW30N50EL, PTW36N60, PTW50N20, PTW69N30, PTW90N20