PTB9506E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTB9506E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTB9506E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTB9506E даташит

 ..1. Size:561K  pipsemi
 ptp9506e ptb9506e.pdf pdf_icon

PTB9506E

PTP9506E PTB9506E 68V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 68V 6.5m 95A RDS(ON),typ.=6.5 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Synchronous Rectification G D S D UPS Inverter S Ordering Information TO-220 &

Другие IGBT... PTP20N65A, PTA20N65A, PTP20N70A, PTA20N70A, PTP23N10A, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, IRF740, PTW09N90, PTW20N50A, PTW28N50, PTW30N50EL, PTW36N60, PTW50N20, PTW69N30, PTW90N20