Справочник MOSFET. PTB9506E

 

PTB9506E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTB9506E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для PTB9506E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTB9506E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  pipsemi
 ptp9506e ptb9506e.pdf pdf_icon

PTB9506E

PTP9506E PTB9506E 68V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 68V 6.5m 95A RDS(ON),typ.=6.5 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Synchronous Rectification G D S D UPS Inverter S Ordering Information TO-220 &

Другие MOSFET... PTP20N65A , PTA20N65A , PTP20N70A , PTA20N70A , PTP23N10A , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , IRF740 , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
Back to Top

 


 
.