PTW28N50 Todos los transistores

 

PTW28N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTW28N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

PTW28N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11789K  pipsemi
 ptw28n50.pdf pdf_icon

PTW28N50

PTW28N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 170m 28A RDS(ON),typ.=170 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW28N50 TO-3P Absolute Maxim

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 12N10L-TA3-T | IRF7103PBF | STK28N3LLH5 | NVMFS020N06C | IPD12CN10NG | NCEAP40T17AD | WSD2012DN25

 

 
Back to Top

 


 
.