PTW28N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTW28N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTW28N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW28N50 даташит

 ..1. Size:11789K  pipsemi
 ptw28n50.pdf pdf_icon

PTW28N50

PTW28N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 170m 28A RDS(ON),typ.=170 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW28N50 TO-3P Absolute Maxim

Другие IGBT... PTA20N70A, PTP23N10A, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, PTB9506E, PTW09N90, PTW20N50A, IRF540N, PTW30N50EL, PTW36N60, PTW50N20, PTW69N30, PTW90N20, SPTA60R130E, SPTA65R350E, SPTP65R160