Справочник MOSFET. PTW28N50

 

PTW28N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW28N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW28N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11789K  pipsemi
 ptw28n50.pdf pdf_icon

PTW28N50

PTW28N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 170m 28A RDS(ON),typ.=170 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW28N50 TO-3P Absolute Maxim

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TMU8N60H | VBZFB80N03 | STP5NB40 | MTP3001N3 | BL10N60A-P | DMC2400UV | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.