Справочник MOSFET. PTW28N50

 

PTW28N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW28N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW28N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW28N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11789K  pipsemi
 ptw28n50.pdf pdf_icon

PTW28N50

PTW28N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 170m 28A RDS(ON),typ.=170 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW28N50 TO-3P Absolute Maxim

Другие MOSFET... PTA20N70A , PTP23N10A , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , IRF540 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 .

History: SIHFP460A | SI2309CDS-T1-GE3 | PV563BA | RJK0223DNS | 2P985G-2 | IRC740PBF | IPP16CN10NG

 

 
Back to Top

 


 
.