PTW36N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTW36N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 650 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 150 nC
Tiempo de subida (tr): 95 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTW36N60
PTW36N60 Datasheet (PDF)
ptw36n60.pdf
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PTW36N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 120m 36A RDS(ON),typ.=120 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Pack
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