Справочник MOSFET. PTW36N60

 

PTW36N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW36N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW36N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW36N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  pipsemi
 ptw36n60.pdf pdf_icon

PTW36N60

PTW36N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 120m 36A RDS(ON),typ.=120 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Pack

Другие MOSFET... PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , 50N06 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R .

History: KIA3407 | HM40N04D | MTB095N10KRL3 | 2N7002TE | TK150F04K3L | NTGS3136PT1G | SRT04N012L

 

 
Back to Top

 


 
.