PTW36N60 - описание и поиск аналогов

 

PTW36N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTW36N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для PTW36N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW36N60 даташит

 ..1. Size:661K  pipsemi
 ptw36n60.pdf pdf_icon

PTW36N60

PTW36N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 120m 36A RDS(ON),typ.=120 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Pack

Другие MOSFET... PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , 50N06 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R .

History: 2SK1033 | WML15N25T2 | CEPF630

 

 

 

 

↑ Back to Top
.