PTW69N30 Todos los transistores

 

PTW69N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTW69N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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PTW69N30 datasheet

 ..1. Size:660K  pipsemi
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PTW69N30

PTW69N30 300V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 300V 35m 69A RDS(ON),typ.=35 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Packag

Otros transistores... PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , IRFZ44 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B .

History: APM9988QB | WMM25N80M3 | NTD4965N | JCS4N60FB | WMM28N60F2 | 2SK1623 | 2SK1356

 

 

 

 

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