PTW69N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTW69N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 520 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 69 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 150 nC
Tiempo de subida (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 850 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.049 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTW69N30
PTW69N30 Datasheet (PDF)
..1. Size:660K pipsemi
ptw69n30.pdf
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PTW69N30 300V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 300V 35m 69A RDS(ON),typ.=35 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Packag
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