Справочник MOSFET. PTW69N30

 

PTW69N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW69N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW69N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW69N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  pipsemi
 ptw69n30.pdf pdf_icon

PTW69N30

PTW69N30 300V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 300V 35m 69A RDS(ON),typ.=35 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Packag

Другие MOSFET... PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , IRFZ44 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B .

History: IRFIZ24EPBF | 3090K | AOD2910 | 2P998BC | MS13P21 | PSMN3R0-30YLD | RJK0301DPB

 

 
Back to Top

 


 
.