PTW69N30 - описание и поиск аналогов

 

PTW69N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTW69N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для PTW69N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW69N30 даташит

 ..1. Size:660K  pipsemi
 ptw69n30.pdf pdf_icon

PTW69N30

PTW69N30 300V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 300V 35m 69A RDS(ON),typ.=35 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver G D Electric Welder S High Efficiency SMPS TO-3P Ordering Information Package Not to Scale Part Number Packag

Другие MOSFET... PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , IRFZ44 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B .

History: SM9992DSQG | 15N10B | ME80N75F | STD30PF03L-1 | IXFP18N65X2 | JCS4N60FB | 2SK4004-01MR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.