PTW90N20 Todos los transistores

 

PTW90N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTW90N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 580 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO-3P

 Búsqueda de reemplazo de PTW90N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PTW90N20 datasheet

 ..1. Size:807K  pipsemi
 ptw90n20.pdf pdf_icon

PTW90N20

PTW90N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 18m 94A RDS(ON),typ.=18 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters G D DC-AC Inverters for UPS S SMPS and Motor controls TO-3P Ordering Information Package No

Otros transistores... PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , IRF640 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C .

History: STD13N50DM2AG | SUD50P06-15L-GE3 | SIR422DP-T1-GE3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.