Справочник MOSFET. PTW90N20

 

PTW90N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW90N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 580 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW90N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW90N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  pipsemi
 ptw90n20.pdf pdf_icon

PTW90N20

PTW90N20 200V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 200V 18m 94A RDS(ON),typ.=18 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications DC-DC Converters G D DC-AC Inverters for UPS S SMPS and Motor controls TO-3P Ordering Information Package No

Другие MOSFET... PTB9506E , PTW09N90 , PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , IRFP460 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C .

History: IPP77N06S2-12 | KI5515DC | AM7401P

 

 
Back to Top

 


 
.