SPTA65R350E Todos los transistores

 

SPTA65R350E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPTA65R350E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SPTA65R350E datasheet

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SPTA65R350E

SPTA65R350E 650V N-ch Multi-Epi Super-Junction MOSFET RDS(ON),typ. ID General Features BVDSS@TjMAX Multi-Epi Process 700V 0.32 12A Proprietary New Super-Junction Technology RDS(ON),typ.=0.32 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S SMPS Standby Power TO-220F Ordering Information Pa

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SPTA65R350E

SPTP65R160 SPTA65R160 650V N-ch Super-Junction MOSFET General Features BVDSS@ T ID J=150 RDS(ON),typ. Proprietary New Super-Junction Technology 700V 0.16 20A RDS(ON),typ.=0.16 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Inf

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SPTA65R350E

SPTA60R130E 600V N-ch Multi-Epi Super-Junction MOSFET RDS(ON),typ. ID General Features BVDSS@TjMAX Multi-Epi Process 650V 0.11 25A Proprietary New Super-Junction Technology RDS(ON),typ.=0.11 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D S SMPS Standby Power TO-220F Ordering Information

Otros transistores... PTW20N50A , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , IRLZ44N , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , RU20C10H , RU20P4C6 .

History: 2N7002G-AE2-R | STD24N06LT4G | PMF250XN | 3060K | SM6128NSKP | MDV5524URH

 

 

 

 

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