SPTA65R350E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPTA65R350E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPTA65R350E
SPTA65R350E Datasheet (PDF)
spta65r350e.pdf
SPTA65R350E 650V N-ch Multi-Epi Super-Junction MOSFET RDS(ON),typ. ID General Features BVDSS@TjMAX Multi-Epi Process 700V 0.32 12A Proprietary New Super-Junction Technology RDS(ON),typ.=0.32@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S SMPS Standby Power TO-220F Ordering Information Pa
sptp65r160 spta65r160.pdf
SPTP65R160 SPTA65R160 650V N-ch Super-Junction MOSFET General Features BVDSS@ T ID J=150 RDS(ON),typ. Proprietary New Super-Junction Technology 700V 0.16 20A RDS(ON),typ.=0.16 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Inf
spta60r130e.pdf
SPTA60R130E 600V N-ch Multi-Epi Super-Junction MOSFET RDS(ON),typ. ID General Features BVDSS@TjMAX Multi-Epi Process 650V 0.11 25A Proprietary New Super-Junction Technology RDS(ON),typ.=0.11@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D S SMPS Standby Power TO-220F Ordering Information
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
