SPTP65R160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPTP65R160
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 176 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPTP65R160
SPTP65R160 Datasheet (PDF)
..1. Size:829K pipsemi
sptp65r160 spta65r160.pdf
sptp65r160 spta65r160.pdf
SPTP65R160 SPTA65R160 650V N-ch Super-Junction MOSFET General Features BVDSS@ T ID J=150 RDS(ON),typ. Proprietary New Super-Junction Technology 700V 0.16 20A RDS(ON),typ.=0.16 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Inf
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
