Справочник MOSFET. SPTP65R160

 

SPTP65R160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPTP65R160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SPTP65R160

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPTP65R160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  pipsemi
 sptp65r160 spta65r160.pdf pdf_icon

SPTP65R160

SPTP65R160 SPTA65R160 650V N-ch Super-Junction MOSFET General Features BVDSS@ T ID J=150 RDS(ON),typ. Proprietary New Super-Junction Technology 700V 0.16 20A RDS(ON),typ.=0.16 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Inf

Другие MOSFET... PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , IRF640N , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C .

History: IPP80N06S2L-07 | IRF522FI | SMK0780FD | FCH041N60E | UPA2708GR | STP32NM50N | STH110N10F7-2

 

 
Back to Top

 


 
.