SPTP65R160 - описание и поиск аналогов

 

SPTP65R160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPTP65R160

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для SPTP65R160

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPTP65R160 даташит

 ..1. Size:829K  pipsemi
 sptp65r160 spta65r160.pdf pdf_icon

SPTP65R160

SPTP65R160 SPTA65R160 650V N-ch Super-Junction MOSFET General Features BVDSS@ T ID J=150 RDS(ON),typ. Proprietary New Super-Junction Technology 700V 0.16 20A RDS(ON),typ.=0.16 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Inf

Другие MOSFET... PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , IRFB4110 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C .

History: VS3622DS | 3N80L-TA3-T | VS3622DP | SM1A35PSU | AOB600A70FL | AOB270AL | WMK10N80M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.