RU207C Todos los transistores

 

RU207C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU207C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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RU207C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  ruichips
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RU207C

RU207CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOT23-3Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating

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History: SM1F14NSU | SM1F14NSKP | TMP10N65 | MS12N65 | TMP12N60 | PTP14508E | FHP4410A

 

 
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