RU207C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU207C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de RU207C MOSFET
RU207C Datasheet (PDF)
ru207c.pdf
RU207CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOT23-3Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating
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History: NVTFS4823N | 2SK1768 | SM4803DSK | SE6880 | 2SK3916-01 | 2N6659-2 | 2SK3277
History: NVTFS4823N | 2SK1768 | SM4803DSK | SE6880 | 2SK3916-01 | 2N6659-2 | 2SK3277
Liste
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