RU207C - аналоги и даташиты транзистора

 

RU207C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU207C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RU207C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU207C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  ruichips
 ru207c.pdf pdf_icon

RU207C

RU207CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =15m(Typ.)@VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOT23-3Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating

Другие MOSFET... PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , IRFB4115 , RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M .

History: AP2305N-HF | 2SK1761 | APT5025AN

 

 
Back to Top

 


 
.