RU207C - описание и поиск аналогов

 

RU207C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU207C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для RU207C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU207C даташит

 ..1. Size:426K  ruichips
 ru207c.pdf pdf_icon

RU207C

RU207C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =15m (Typ.)@VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOT23-3 Applications Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

Другие MOSFET... PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , IRF3710 , RU20C10H , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M .

History: IRFL9014TRPBF | NTD2955VT4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.