RU20C10H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU20C10H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20C10H

RU20C10H Datasheet (PDF)

..1. Size:340K ruichips
ru20c10h.pdf

RU20C10HComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD220V/10A,D2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=4.5VD1RDS (ON) =15m(Typ.) @ VGS=2.5VD1 P-Channel-20V/-10A,G2RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5VS2RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-2.5VG1 Reliable and Ruggedpin1S1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOP-8

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Liste

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