RU20C10H Todos los transistores

 

RU20C10H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU20C10H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU20C10H datasheet

 ..1. Size:340K  ruichips
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RU20C10H

RU20C10H Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel D2 20V/10A, D2 RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5V D1 RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=2.5V D1 P-Channel -20V/-10A, G2 RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V S2 RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-2.5V G1 Reliable and Rugged pin1 S1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP-8

Otros transistores... SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , 10N60 , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 .

History: STD13N50DM2AG | SUD50P06-15L-GE3 | SIR422DP-T1-GE3

 

 

 

 

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