RU20C10H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU20C10H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для RU20C10H
RU20C10H Datasheet (PDF)
ru20c10h.pdf
RU20C10HComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD220V/10A,D2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=4.5VD1RDS (ON) =15m(Typ.) @ VGS=2.5VD1 P-Channel-20V/-10A,G2RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5VS2RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-2.5VG1 Reliable and Ruggedpin1S1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOP-8
Другие MOSFET... SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , 10N60 , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 .
History: STD2NK70Z | STD2HNK60Z | 2SK2823 | SWX170R15ET
History: STD2NK70Z | STD2HNK60Z | 2SK2823 | SWX170R15ET
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor


