RU20C10H - описание и поиск аналогов

 

RU20C10H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU20C10H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU20C10H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20C10H даташит

 ..1. Size:340K  ruichips
 ru20c10h.pdf pdf_icon

RU20C10H

RU20C10H Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel D2 20V/10A, D2 RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5V D1 RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=2.5V D1 P-Channel -20V/-10A, G2 RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V S2 RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-2.5V G1 Reliable and Rugged pin1 S1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP-8

Другие MOSFET... SPTA60R130E , SPTA65R350E , SPTP65R160 , SPTA65R160 , RU1H150R , RU1H150S , RU206B , RU207C , 10N60 , RU20P4C6 , RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 .

History: SVD4N65F | WML15N60C4 | WMO7N65D1B | SM3439NHQA | 2SJ49 | APM2317A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.