RU3060L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3060L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: TO-252
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RU3060L datasheet
ru3060l.pdf
RU3060L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/53A, RDS (ON) =9m (tpy.)@VGS=10V RDS (ON) =13m (tpy.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management in Desktop Computer, Portable Equipm
ru306c.pdf
RU306C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/5A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =110m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converter Load Switch N-Channel MOSFET Ab
ru3065l.pdf
RU3065L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/65A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum R
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History: 2SK2052 | STF7LN80K5 | 4N60KG-TF2-T | 2SK3574-S
History: 2SK2052 | STF7LN80K5 | 4N60KG-TF2-T | 2SK3574-S
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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