RU3060L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU3060L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO-252
RU3060L Datasheet (PDF)
ru3060l.pdf

RU3060LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/53A,RDS (ON) =9m(tpy.)@VGS=10VRDS (ON) =13m(tpy.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm
ru306c.pdf

RU306C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/5A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =110m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converter Load Switch N-Channel MOSFET Ab
ru3065l.pdf

RU3065LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/65A,RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum R
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2N4416AC1C
History: 2N4416AC1C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet