RU30J30M Todos los transistores

 

RU30J30M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU30J30M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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RU30J30M datasheet

 ..1. Size:412K  ruichips
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RU30J30M

RU30J30M Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/30A, S2S2 RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V G2S2 RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche tested D1D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G1D1 PIN1 PDFN5*6 Applications Switching Application Systems DC/DC Converters

 0.1. Size:247K  ruichips
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RU30J30M

RU30J30M3 Dual Symmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V S2G2 Using Ruichips Advanced TrenchTM Technology S2S2 Low gate Charge F t S it hi d F ll A l h R t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) D1G1 PIN

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