RU30J30M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU30J30M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30J30M

RU30J30M Datasheet (PDF)

..1. Size:412K ruichips
ru30j30m.pdf

RU30J30MDual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,S2S2 RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10VG2S2 RDS (ON) =9.5m(Typ.)@VGS=4.5V Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche testedD1D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1D1PIN1PDFN5*6Applications Switching Application Systems DC/DC Converters

0.1. Size:247K ruichips
ru30j30m3.pdf

RU30J30M3 Dual Symmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5VS2G2 Using Ruichips Advanced TrenchTM TechnologyS2S2 Low gate ChargeF t S it hi d F ll A l h R t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)D1G1PIN

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Liste

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