RU30J30M - описание и поиск аналогов

 

RU30J30M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30J30M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для RU30J30M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30J30M даташит

 ..1. Size:412K  ruichips
 ru30j30m.pdf pdf_icon

RU30J30M

RU30J30M Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/30A, S2S2 RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V G2S2 RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche tested D1D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G1D1 PIN1 PDFN5*6 Applications Switching Application Systems DC/DC Converters

 0.1. Size:247K  ruichips
 ru30j30m3.pdf pdf_icon

RU30J30M

RU30J30M3 Dual Symmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V S2G2 Using Ruichips Advanced TrenchTM Technology S2S2 Low gate Charge F t S it hi d F ll A l h R t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) D1G1 PIN

Другие MOSFET... RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 , RU30D20M3 , AON7408 , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.