Справочник MOSFET. RU30J30M

 

RU30J30M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30J30M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для RU30J30M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30J30M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  ruichips
 ru30j30m.pdf pdf_icon

RU30J30M

RU30J30MDual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,S2S2 RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10VG2S2 RDS (ON) =9.5m(Typ.)@VGS=4.5V Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche testedD1D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1D1PIN1PDFN5*6Applications Switching Application Systems DC/DC Converters

 0.1. Size:247K  ruichips
 ru30j30m3.pdf pdf_icon

RU30J30M

RU30J30M3 Dual Symmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5VS2G2 Using Ruichips Advanced TrenchTM TechnologyS2S2 Low gate ChargeF t S it hi d F ll A l h R t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)D1G1PIN

Другие MOSFET... RU20P7C , RU30120R , RU3060L , RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 , RU30D20M3 , 2N7000 , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S .

 

 
Back to Top

 


 
.