RU30J30M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU30J30M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RU30J30M Datasheet (PDF)
ru30j30m.pdf

RU30J30MDual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,S2S2 RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10VG2S2 RDS (ON) =9.5m(Typ.)@VGS=4.5V Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche testedD1D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1D1PIN1PDFN5*6Applications Switching Application Systems DC/DC Converters
ru30j30m3.pdf

RU30J30M3 Dual Symmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5VS2G2 Using Ruichips Advanced TrenchTM TechnologyS2S2 Low gate ChargeF t S it hi d F ll A l h R t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)D1G1PIN
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: DMN3052LSS | FHF630A
History: DMN3052LSS | FHF630A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor