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RU40190R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU40190R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 120 nC
   Tiempo de subida (tr): 96 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 950 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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RU40190R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  ruichips
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RU40190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 7.1. Size:296K  ruichips
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RU40190R RU40190R

RU40190Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-3PApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 7.2. Size:296K  ruichips
ru40190s.pdf

RU40190R RU40190R

RU40190SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 8.1. Size:628K  ruichips
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RU40190R RU40190R

RU40191SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbso

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