RU40190R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU40190R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU40190R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU40190R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40190R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  ruichips
 ru40190r.pdf pdf_icon

RU40190R

RU40190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 7.1. Size:296K  ruichips
 ru40190q2.pdf pdf_icon

RU40190R

RU40190Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-3PApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 7.2. Size:296K  ruichips
 ru40190s.pdf pdf_icon

RU40190R

RU40190SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/190A,RDS (ON) =2.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 8.1. Size:628K  ruichips
 ru40191s.pdf pdf_icon

RU40190R

RU40191SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/190A, RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbso

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU3080L , RU3089M , RU3091M , RU30D20M2 , RU30D20M3 , RU30J30M , RU30L70L , RU30S15H , K4145 , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S , RU6888 , RU7080R , RU7080S .

History: SI1307DL

 

 
Back to Top

 


 
.