RU6085H Todos los transistores

 

RU6085H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6085H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU6085H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  ruichips
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RU6085H

RU6085HN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOP-8Applications Power Management. Switch Applications. Load switchN-Channel MO

 9.1. Size:288K  ruichips
 ru6080l.pdf pdf_icon

RU6085H

RU6080LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/80A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252Applications SMPS High Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (

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History: AP18P10GM | 2SK1160 | SWF6N70K | 2SK4006-01L | 2SK1324 | AP10P10GK-HF | IRF8736TR

 

 
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