RU6085H Todos los transistores

 

RU6085H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6085H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU6085H datasheet

 ..1. Size:636K  ruichips
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RU6085H

RU6085H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP-8 Applications Power Management. Switch Applications. Load switch N-Channel MO

 9.1. Size:288K  ruichips
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RU6085H

RU6080L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252 Applications SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (

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