Справочник MOSFET. RU6085H

 

RU6085H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6085H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU6085H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6085H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  ruichips
 ru6085h.pdf pdf_icon

RU6085H

RU6085HN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOP-8Applications Power Management. Switch Applications. Load switchN-Channel MO

 9.1. Size:288K  ruichips
 ru6080l.pdf pdf_icon

RU6085H

RU6080LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/80A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252Applications SMPS High Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (

Другие MOSFET... RU30D20M3 , RU30J30M , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , AO3400 , RU6199S , RU6888 , RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S .

History: IRFPF40PBF | RUH1H150R | NCEP01T13AD

 

 
Back to Top

 


 
.