RU8590S Todos los transistores

 

RU8590S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU8590S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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RU8590S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  ruichips
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RU8590S

RU8590SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DDDDDDDApplications

 8.1. Size:315K  ruichips
 ru8590r.pdf pdf_icon

RU8590S

RU8590RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High Speed Power Switching UPSGSN-Chan

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History: HY1808AP | RF1S70N06 | FQPF2N80YDTU | FDBL86363-F085

 

 
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