RU8590S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU8590S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для RU8590S
RU8590S Datasheet (PDF)
ru8590s.pdf

RU8590SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DDDDDDDApplications
ru8590r.pdf

RU8590RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High Speed Power Switching UPSGSN-Chan
Другие MOSFET... RU6888 , RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , 4435 , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M , RUH3051M2 , RUH40130M , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M .
History: PTP08N06N | PDC3803R | PDC3810V
History: PTP08N06N | PDC3803R | PDC3810V



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor