Справочник MOSFET. RU8590S

 

RU8590S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU8590S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RU8590S

 

 

RU8590S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  ruichips
 ru8590s.pdf

RU8590S RU8590S

RU8590SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DDDDDDDApplications

 8.1. Size:315K  ruichips
 ru8590r.pdf

RU8590S RU8590S

RU8590RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 85V/90A, RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High Speed Power Switching UPSGSN-Chan

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top