RUH1H150R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH1H150R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 87 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUH1H150R
RUH1H150R Datasheet (PDF)
..1. Size:1197K ruichips
ruh1h150r.pdf
ruh1h150r.pdf
RUH1H150RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/150A,RDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=10V Advanced HEFET Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications Motor Drives Uninte
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
