Справочник MOSFET. RUH1H150R

 

RUH1H150R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH1H150R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RUH1H150R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH1H150R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  ruichips
 ruh1h150r.pdf pdf_icon

RUH1H150R

RUH1H150RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/150A,RDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=10V Advanced HEFET Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications Motor Drives Uninte

 0.1. Size:396K  ruichips
 ruh1h150r-a.pdf pdf_icon

RUH1H150R

RUH1H150R-AN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/150A, RDS (ON) =3.4m(Typ.)@VGS=10V Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance Low Gate Charge Minimizing Switching LossL G t Ch Mi i i i S it hi L 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)GD

 6.1. Size:311K  ruichips
 ruh1h150s.pdf pdf_icon

RUH1H150R

RUH1H150SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/150A,D RDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested100% l h t t d 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DDDDD

 6.2. Size:265K  ruichips
 ruh1h150t.pdf pdf_icon

RUH1H150R

RUH1H150TN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/150A,11RDS (ON) =2.9m(Typ.)@VGS=10V910 Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology109 Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance1111 Low Gate Charge Minimizing Switching LossL G t Ch Mi i i i S it hi L2 834 76 100% Avalanche Tested56 54 Lead Fre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , IRF530 , RUH30120M-C , RUH30150M , RUH3051M2 , RUH40130M , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F .

History: 2SK3434-ZJ | STB9NK60Z | WMN25N70EM | SQ3426AEEV | 3N60AF | SKSS042N10N | 8205S

 

 
Back to Top

 


 
.