RUH30150M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH30150M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 126 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 107 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0013 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUH30150M
RUH30150M Datasheet (PDF)
ruh30150m.pdf
RUH30150MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/150A,RDS (ON) =0.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power
ruh30120m-c.pdf
RUH30120M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/120A,RDS (ON) =1.6m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =2.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board powe
ruh3051m2.pdf
RUH3051M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,RDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN3333DApplications DC/DC Converters On board power for
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History: OSG60R190FT3ZF
